Kecepatan komputer bertambah

Terobosan Baru Dari Memori(MRAM)

MRAM singkatan magnetoresistive Random Access Memory. Ini adalah teknologi yang waktunya belum tiba, terutama karena belum diperlukan belum. Banyak ahli percaya, bagaimanapun, bahwa MRAM di cakrawala dan akan dilaksanakan setiap saat sekarang.
Seperti namanya, MRAM menggunakan elemen penyimpan yang bersifat magnetis untuk menyimpan data. Secara khusus, dua besi pelat sandwich isolasi lapisan tipis. Salah satu pelat adalah magnet yang diatur untuk biaya tertentu. Piring lain adalah variabel, yang memungkinkan untuk mengubah polaritas sesuai untuk menarik bidang eksternal '. Kumpulan elemen-elemen ini membentuk perangkat memori MRAM.






Seperti RAM lainnya, MRAM terdiri dari data. Dalam hal ini, data ditulis ke dalam sistem MRAM menggunakan medan magnet. Karena MRAM menulis dan menyimpan data ini menggunakan medan magnet bukan sirkuit listrik tradisional, membutuhkan daya jauh lebih sedikit dibandingkan dengan sistem yang sebanding lain penyimpanan memori.
Dynamic RAM (DRAM), yang merupakan standar industri karena densitas unggul dan titik harga, kurang menarik bila dibandingkan dengan MRAM MRAM karena kemampuan untuk menyimpan dan me-refresh data menggunakan daya minimal dan lebih rendah saat ini. MRAM juga lebih baik dibandingkan dengan flash memori di MRAM yang tidak menurunkan selama menulis dan menderita tidak ada baca-tulis penyimpangan kecepatan. Manfaat terbesar dari MRAM, bagaimanapun, adalah bahwa data disimpan dalam chip selama memegang muatan magnetik. Tidak seperti sirkuit listrik, yang kehilangan data mereka "memori" ketika sebuah komputer dimatikan, sirkuit MRAM dapat menyimpan data lama setelah shutdown.
MRAM adalah dalam perjalanan, banyak ahli percaya. perusahaan besar Seperti Sony, Toshiba, dan NEC telah memperkenalkan prototipe chip MRAM. Prototipe ini tidak sampai spesifikasi kecepatan dan kepadatan DRAM dan Flash, tapi mereka akan. Lihat untuk melihat chip MRAM dalam dekade berikutnya atau lebih powering hal-hal seperti kamera digital, telepon selular, komputer notebook, base station selular, dan sistem bahkan kedirgantaraan dan militer.

Pengertian magnetoresistive

 Magnetoresistance adalah kemampuan untuk mengubah jalur arus listrik yang melewati suatu objek dengan memperkenalkan medan magnet eksternal. Tingkat magnetoresistance anisotrop (AMR), atau tingkat di mana partikel melengkung arah lain karena adanya magnet, bervariasi oleh konduktivitas relatif dari material yang diuji. Aplikasi ini memungkinkan listrik untuk melewati area permukaan yang lebih besar suatu objek untuk meningkatkan ketahanan secara keseluruhan pada tingkat molekuler. Dengan menggunakan unsur-unsur yang berbeda sebagai variabel, rumus dapat diterapkan untuk menghitung efek magentoresistive benar, yang memungkinkan banyak industri untuk menentukan jenis bahan akan menjadi yang terbaik-cocok dalam produk mereka. 

Seperti banyak terobosan telah dilakukan dalam bidang ini ilmu sejak penemuannya tahun 1856 oleh penemu Irlandia Lord Kelvin, prinsip ini sekarang sering disebut sebagai magentoresistance biasa (OMR). magnetoresistance kolosal (CMR) adalah klasifikasi berikutnya harus disesuaikan, dan digunakan untuk menggambarkan logam seperti oksida perovskit kemampuan untuk mengubah perlawanan ke tingkat yang jauh lebih besar dari perkiraan sebelumnya mungkin. Tidak sampai bagian akhir abad ke-20 bahwa teknologi ini diperluas lebih jauh.
Pada tahun 1988, baik Albert Fert dan Peter Grünberg independen menemukan pelaksanaan giant magnetoresistance (GMR), yang terdiri dari lapisan logam menumpuk kertas tipis elemen feromagnetik dan non-magnetik untuk meningkatkan atau menurunkan resistensi secara keseluruhan dalam obyek. magnetoresistance Tunneling (TMR) mengambil konsep ini satu langkah lebih lanjut dengan menyebabkan elektron spiral tegak lurus, dengan kemampuan untuk mengatasi melintasi isolator non-magnetik. isolator biasanya terdiri dari magnesium oksida kristalin, yang sampai saat ini, dianggap melanggar hukum alam fisika klasik. Fenomena kuantum mekanik memungkinkan untuk beberapa industri untuk menerapkan teknologi TMR yang dinyatakan tidak mungkin.
Mungkin contoh yang paling umum magnetoresistance adalah pelaksanaan hard drive dalam sistem komputer. Teknologi ini memungkinkan perangkat untuk kedua membaca dan menulis data dalam volume besar sejak kumparan pemanas terintegrasi mikroskopis memungkinkan kontrol yang unggul sementara hard drive sedang bekerja. Hal ini menyebabkan kapasitas penyimpanan yang lebih besar secara keseluruhan kurang sering kehilangan data. Hal ini juga digunakan untuk memberdayakan generasi pertama dari memori non-voliatle, yang mempertahankan data bahkan ketika sumber listrik tidak ada.

Posted in: